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(Uel 2018)  Em 1947 (portanto, há exatos 70 anos), foi criado o primeiro transistor pelos cientistas John Bardeen e Walter H. Brattain, nos laboratórios da Bell Telephone, nos Estados Unidos. Hoje, estes dispositivos são a base dos componentes que executam as funções lógicas nos mais diversos equipamentos eletrônicos, como o caixa eletrônico de bancos, o sistema de injeção eletrônica de automóveis, os computadores e os smartphones.

Um transistor do tipo bipolar de junção é representado pelo símbolo da Figura 1, onde são indicados os três terminais do dispositivo, a Base, o Emissor e o Coletor.

 

No gráfico da Figura 2, são dadas as curvas características desse transistor (na configuração de emissor comum). Nesse gráfico, a corrente elétrica IC no coletor, estabelecida pela ddp VCE aplicada entre os terminais do coletor e do emissor, é controlada pelo valor da corrente elétrica IB aplicada ao terminal da base.

Considerando que a corrente na base é de IB=200mA, obtenha a resistência elétrica entre o coletor e o emissor do transistor quando a ddp VCE=0,5V.

Justifique sua resposta, apresentando os cálculos envolvidos na resolução desta questão.